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SR320-HF PDF预览

SR320-HF

更新时间： 2024-02-04 20:23:51
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP /
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3页 58K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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SR320-HF 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.08
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SR320-HF 数据手册

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Schottky Barrier Rectifier  
Comchip  
S M D D i o d e S p e c i a l i s t  
SR320-HF Thru. SR3200-HF  
Forward current: 3.0A  
Reverse voltage: 20 to 200V  
RoHS Device  
Halogen Free  
DO-27  
Features  
0.052(1.30)  
0.048(1.20)  
DIA.  
-Axial lead type devices for through hole design.  
-Low power loss, high efficiency.  
1.0(25.4) min.  
-High current capability, Low forward voltage drop.  
-High surge capability.  
-Ultra high-speed switching.  
-Silicon epitaxial planar chip, metal silicon junction.  
0.375(9.50)  
0.285(7.20)  
-Lead-free part meets environmental standards of  
MIL-STD-19500/228  
0.220(5.60)  
0.197(5.00)  
DIA.  
Mechanical Data  
1.0(25.4) min.  
-Case: Molded plastic, DO-201AD/DO-27  
-Epoxy: UL94V-0 rate flame retardant.  
-Lead: Axial lead, solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guranteed.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Polarity: color band denoted cathode end.  
-Weight: 1.10 gram (approx.).  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at Ta=25°C unless otherwise noted.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive loaded.  
For capacitive load, derate current by 20% .  
SR320 SR340 SR360 SR3100 SR3150 SR3200  
Symbol  
Parameter  
Unit  
-HF  
-HF  
-HF  
-HF  
-HF  
-HF  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
VF  
20  
40  
60  
100  
150  
200  
V
V
V
V
14  
20  
28  
40  
42  
60  
70  
105  
150  
0.87  
140  
200  
0.90  
Maximum DC blocking voltage  
100  
0.81  
Maximum forward voltage  
@3A , TA=25°C  
0.45  
0.50  
0.70  
Operating junction temperature range  
TJ  
-50 ~ +150  
-50 ~ +175  
°C  
Symbol  
IO  
Parameter  
Conditions  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
Unit  
A
see Fig.1  
Forward rectified current  
Forward surge current  
3.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed  
on rate load (JEDEC method)  
IFSM  
70  
A
VR =VRRM TA=25°C  
VR =VRRM TA=100°C  
IR  
IR  
0.5  
20  
mA  
mA  
Reverse current  
Thermal resistance  
Junction to ambient  
RθJA  
CJ  
55  
°C/W  
Diode junction capacitance  
Storage temperature  
f=1MHZ and applied 4V DC reverse Voltage  
250  
pF  
°C  
TSTG  
-55  
+175  
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.  
REV:A  
Page 1  
QW-JB040  
123

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