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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SR3050PT-G
SR3050PT-G PDF预览

SR3050PT-G

更新时间： 2024-11-18 07:17:55
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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SR3050PT-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
最大非重复峰值正向电流：275 A元件数量：1
最高工作温度：125 °C最大输出电流：30 A
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SR3050PT-G 数据手册

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Schottky Barrier Rectifier  
SR3030PT-G Thru. SR30150PT-G  
Reverse Voltage: 30 to 1000V  
Forward Current: 30.0A  
RoHS Device  
Features  
-Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction.  
-Guard ring for transient protection.  
-Low power loss, high efficiency.  
TO-3P  
0.646(16.40)  
0.203(5.16)  
0.193(4.90)  
0.626(15.90)  
0.134(3.40)  
0.244(6.20)  
0.224(5.70)  
0.114(2.90)  
0.085(2.16)  
0.075(1.90)  
-High current capability, low VF.  
-High surge capacity.  
-For use in low voltage, high frequency inverters,  
free wheeling,and polarity protection applications.  
0.091(2.30)  
0.078(1.97)  
0.858(21.80)  
0.819(20.80)  
Mechanical Data  
0.095(2.40)  
0.083(2.10)  
-Case: TO-3P, molded plastic  
-Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant.  
-Polarity: As marked on the body.  
-Mounting position: Any  
0.127(3.22)  
0.161(4.10)  
0.138(3.50)  
0.117(2.97)  
0.086(2.18)  
0.076(1.93)  
0.795(20.20)  
0.776(19.70)  
0.030(0.76)  
0.020(0.51)  
-Weight: 5.6 grams  
0.224(5.70)  
0.205(5.20)  
0.048(1.22)  
0.044(1.12)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SR3030  
PT-G  
SR3040  
PT-G  
SR3050  
PT-G  
SR3060  
SR3080  
PT-G  
SR30100 SR30150  
Symbol  
Unit  
Parameter  
PT-G  
PT-G  
100  
70  
PT-G  
150  
105  
150  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RRM  
RMS  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
80  
56  
80  
V
V
V
V
42  
Maximum DC Blocking Voltage  
VDC  
60  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
(AV)  
30  
A
A
(See Fig.1)  
@Tc=95°C  
Peak Forward Surage Current , 8.3ms Single  
Half Sine-Wave Super Imposed On Rated  
Load (JEDEC Method)  
IFSM  
275  
Peak Forward Voltage at 15.0A DC  
VF  
0.55  
0.70  
0.85  
0.95  
V
@TJ=25°C  
Maximum DC Reverse Current  
At Rate DC Blocking Voltage  
1.0  
75  
IR  
mA  
@TJ=100°C  
Typical Junction Capacitandce (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
Notes:  
pF  
°C/W  
°C  
C
J
700  
2.0  
RθJA  
TJ  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
°C  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal resistance junction to case.  
REV:A  
Page 1  
QW-BB045  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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