SR3040PT-G

更新时间： 2024-02-22 04:42:59

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上华 - COMCHIP		整流二极管
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Schottky Barrier Rectifier

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SR3040PT-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.55 V
最大非重复峰值正向电流：	275 A	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	30 A
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SR3040PT-G 数据手册

Schottky Barrier Rectifier

SR3030PT-G Thru. SR30150PT-G

Reverse Voltage: 30 to 1000V

Forward Current: 30.0A

RoHS Device

Features

-Metal of silicon rectifier, majority carrier conduction.

-Guard ring for transient protection.

-Low power loss, high efficiency.

TO-3P

0.646(16.40)

0.203(5.16)

0.193(4.90)

0.626(15.90)

0.134(3.40)

0.244(6.20)

0.224(5.70)

0.114(2.90)

0.085(2.16)

0.075(1.90)

-High current capability, low VF.

-High surge capacity.

-For use in low voltage, high frequency inverters,

free wheeling,and polarity protection applications.

0.091(2.30)

0.078(1.97)

0.858(21.80)

0.819(20.80)

Mechanical Data

0.095(2.40)

0.083(2.10)

-Case: TO-3P, molded plastic

-Epoxy: UL 94-V0 rate flame retardant.

-Polarity: As marked on the body.

-Mounting position: Any

0.127(3.22)

0.161(4.10)

0.138(3.50)

0.117(2.97)

0.086(2.18)

0.076(1.93)

0.795(20.20)

0.776(19.70)

0.030(0.76)

0.020(0.51)

-Weight: 5.6 grams

0.224(5.70)

0.205(5.20)

0.048(1.22)

0.044(1.12)

Dimensions in inches and (millimeter)

Maximum ratings and electrical characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

SR3030

PT-G

SR3040

PT-G

SR3050

PT-G

SR3060

SR3080

PT-G

SR30100 SR30150

Symbol

Unit

Parameter

PT-G

100

PT-G

150

105

150

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

RRM

RMS

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

100

Maximum Average Forward Rectified Current

(AV)

(See Fig.1)

@Tc=95°C

Peak Forward Surage Current , 8.3ms Single

Half Sine-Wave Super Imposed On Rated

Load (JEDEC Method)

IFSM

275

Peak Forward Voltage at 15.0A DC

0.55

0.70

0.85

0.95

@TJ=25°C

Maximum DC Reverse Current

At Rate DC Blocking Voltage

1.0

@TJ=100°C

Typical Junction Capacitandce (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Notes:

°C/W

°C

700

2.0

RθJA

-55 to +125

-55 to +150

TSTG

°C

1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Thermal resistance junction to case.

REV:A

Page 1

QW-BB045

Comchip Technology CO., LTD.

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