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SR1100

更新时间： 2024-02-17 14:15:38
品牌 Logo 应用领域
虹扬 - HY 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 99K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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SR1100 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.15
其他特性：LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SR1100 数据手册

 浏览型号SR1100的Datasheet PDF文件第2页 
SR120 thru SR1100  
REVERSE VOLTAGE - 20 to 100Volts  
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS  
DO- 41  
FEATURES  
● Metal-Semiconductor junction with gard ring  
● Epitaxial construction  
● Low forward voltage drop  
.034(0.9)  
DIA  
● High current capability  
.028(0.7)  
1.0(25.4)  
MIN.  
● The plastic material carries UL recognition 94V-0  
● For use in low vlotage, high frequency inverters,  
free wheeling, and polarity protection applications  
.205(5.2)  
MAX  
.107(2.7)  
DIA  
.080(2.0)  
MECHANICAL DATA  
●Case: JEDEC DO-41 molded plastic  
●Polarity: Color band denotes cathode  
●Weight: 0.012 ounces , 0.34 grams  
●Mounting position: Any  
1.0(25.4)  
MIN.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
SYMBOL SR120  
SR130  
30  
SR140  
40  
SR150  
50  
SR160  
60  
SR180 SR1100  
UNIT  
CHARACTERISTICS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
14  
20  
80  
56  
80  
100  
70  
V
V
V
21  
28  
35  
42  
Maximum DC Blocking Voltage  
30  
40  
50  
60  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I(AV)  
1.0  
A
0.375″（9.5mm) Lead Lengths  
Peak Forward Surge Current  
@TL=100 ℃  
IFSM  
40  
A
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)  
0.55  
110  
0.70  
0.85  
Peak Forward Voltage at 1.0A DC  
VF  
IR  
V
1.0  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Bolcking Voltage  
@TJ=25℃  
@TJ=100℃  
mA  
80  
Typical Junction Capacitance (Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
CJ  
RθJL  
TJ  
pF  
℃/W  
℃
15  
-55 to +125  
-55 to +150  
TSTG  
℃
NOTES: 1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2.Thermal resistance junction to lead.  
~ 200 ~  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SR1100-F RECTRON

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 		Rectifier Diode,
SR1100L YANGJIE

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 		DO-41
SR1100-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLA
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SR1100S UNIOHM

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SR1100SF GXELECTRONICS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLA
SR1100-T3 WTE

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 		1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

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