SR1100

更新时间： 2024-01-13 08:12:19

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WTE		整流二极管肖特基二极管
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4页	63K
描述
1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SR1100 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.15
其他特性：	LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	100 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

SR1100 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SR120 – SR1100

1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring Die Construction for

Transient Protection

High Current Capability

Low Power Loss, High Efficiency

High Surge Current Capability

For Use in Low Voltage, High Frequency

Inverters, Free Wheeling, and Polarity

Protection Applications

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D

Mechanical Data

DO-41

Dim

Min

25.4

4.06

0.71

2.00

Max

Case: DO-41, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band

Weight: 0.34 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

—

5.21

0.864

2.72

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol SR120 SR130 SR140 SR150 SR160 SR180 SR1100 Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

Average Rectified Output Current @T_L= 100°C

(Note 1)

1.0

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

Single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I^FSM

Forward Voltage

@I_F= 1.0A

V^FM

I^RM

C^j

0.50

110

0.70

0.85

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

Typical Junction Capacitance (Note 2)

Typical Thermal Resistance (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JL

R^ꢀ^JA

°C/W

°C

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SR120 – SR1100

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与SR1100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SR1100-F	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
SR1100L	YANGJIE	获取价格	DO-41
SR1100-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLA
SR1100PT	CHENMKO	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SR1100S	UNIOHM	获取价格	1.0 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SR1100S	GWSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
SR1100SF	MDD	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 1.0Ampere
SR1100SF	GXELECTRONICS	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 1.0Ampere
SR1100-T	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLA
SR1100-T3	WTE	获取价格	1.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE

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