5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | 1814 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8504.50.80.00 | 风险等级： | 5.4 |
| 大小写代码： | 1814 | 构造： | Chip |
| 型芯材料： | FERRITE | 直流电阻： | 25 Ω |
| 标称电感 (L)： | 1000 µH | 电感器应用： | RF INDUCTOR |
| 电感器类型： | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 封装高度： | 2.6 mm |
| 封装长度： | 4.5 mm | 封装形式： | SMT |
| 封装宽度： | 3.6 mm | 包装方法： | TR |
| 最小质量因数（标称电感时）： | 40 | 最大额定电流： | 0.05 A |
| 自谐振频率： | 2 MHz | 系列： | SQV |
| 形状/尺寸说明： | RECTANGULAR PACKAGE | 屏蔽： | NO |
| 特殊特征： | Q MEASURED AT 0.252 MHZ | 表面贴装： | YES |
| 端子位置： | DUAL ENDED | 端子形状： | WRAPAROUND |
| 测试频率： | 0.001 MHz | 容差： | 5% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQV453226T-102K-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1000uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1814, CHIP, ROHS COMP |
|
| SQV453226T-102K-S | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1000uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
|
| SQV453226T-102M-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 1000uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, ROHS COMPLIANT |
|
| SQV453226T-120J-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 12uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1814, CHIP, ROHS COMPLIA |
|
| SQV453226T-120K-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 12uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1814, CHIP, ROHS COMPLI |
|
| SQV453226T-121J-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 120uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1814, CHIP, ROHS COMPLI |
|
| SQV453226T-121J-S | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 120uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
|
| SQV453226T-121M-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 120uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP, ROHS COMPLIANT |
|
| SQV453226T-150J-N | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 15uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1814, CHIP, ROHS COMPLIA |
|
| SQV453226T-151K-S | YAGEO |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 150uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
