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SPT165

更新时间： 2024-11-21 03:31:19

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SSDI		晶体晶体管
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2页	44K
描述
10 mA 45 VOLTS NPN (VREF) TRANSISTOR

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SPT165 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.8
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-33
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPT165 数据手册

PRELIMINARY

SPT165

SOLID STATE DEVICES, INC.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

10 mA

45 VOLTS

DESIGNER'S DATA SHEET

NPN (V ) TRANSISTOR

REF

FEATURES:

• BV

• Very Low Leakage.

45V.

CEO

TO-33

• High Gain.

• Stable Reference Voltage 0.002%/ ^oC from 0 to 70^oC.

• Isolated Case.

• Hermetic, Metal Case with Glass Seals.

• 150^oC Operating Temperature.

SYMBOL

VALUE

UNITS

Volts

MAXIMUM RATINGS

Collector-Emitter Voltage

CEO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Volts

CBO

EBO

Collector Current, T_C#150^oC

mAmps

Base or Zener Current, T_C#150^oC

I I

B, Z

Total Device Dissipation @ T = 25^oC

250

mW/^oC

Derate above 25^oC

Operating and Storage Temperature

T T

-55 to +150

500

^oC

J, STG

Thermal Resistance, Junction to Case

2JC

^oC/W

CASE OUTLINE: TO-33

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: TR0010A

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