SPP47N10L

更新时间： 2024-11-28 22:42:47

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描述
SIPMOS Power-Transistor

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SPP47N10L 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.35	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	47 A	最大漏极电流 (ID)：	47 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	175 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	188 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SPP47N10L 数据手册

Preliminary data

SPI47N10L

SPP47N10L,SPB47N10L



SIPMOS =Power-Transistor

Product Summary

Feature

100

N-Channel

Enhancement mode

Logic Level

DS(on)

P-TO262-3-1

P-TO263-3-2

P-TO220-3-1

175°C operating temperature

Avalanche rated

dv/dt rated

Type

Package

Ordering Code

Marking

47N10L

SPP47N10L

SPB47N10L

SPI47N10L

P-TO220-3-1 Q67040-S4177

P-TO263-3-2 Q67040-S4176

P-TO262-3-1 tbd

Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous drain current

T =25°C

T =100°C

188

Pulsed drain current

D puls

T =25°C

400

Avalanche energy, single pulse

I =47 A , V =25V, R =25

DD GS

17.5

Avalanche energy, periodic limited by T

Reverse diode dv/dt

jmax

dv/dt

kV/µs

I =47A, V =0V, di/dt=200A/µs

Gate source voltage

Power dissipation

±20

175

tot

T =25°C

°C

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

T , T

-55... +175

55/175/56

stg

Page 1

2001-08-24

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