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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPB47N10
SPB47N10 PDF预览

SPB47N10

更新时间： 2024-11-22 22:26:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 513K
描述
SIPMOS Power-Transistor

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SPB47N10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.42Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：47 A最大漏极电流 (ID)：47 A
最大漏源导通电阻：0.033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：175 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：188 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPB47N10 数据手册

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Preliminary data  
SPI47N10  
SPP47N10,SPB47N10  
SIPMOS =Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
100  
33  
47  
V
m
A
DS  
N-Channel  
R
DS(on)  
Enhancement mode  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
I
D
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
47N10  
47N10  
47N10  
SPP47N10  
SPB47N10  
SPI47N10  
P-TO220-3-1 Q67040-S4183  
P-TO263-3-2 Q67040-S4173  
P-TO262-3-1 tbd  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
47  
33  
C
T =100°C  
C
188  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
400  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =47 A , V =25V, R =25  
D
DD GS  
E
17.5  
6
Avalanche energy, periodic limited by T  
Reverse diode dv/dt  
AR  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =47A, V =0V, di/dt=200A/µs  
DS  
S
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
W
±20  
175  
GS  
P
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2001-08-24  
12345678

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SPB47N10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUM85N03-08P-E3 VISHAY

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPB47N10L INFINEON

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 		SIPMOS Power-Transistor
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SPB-4810BLG OPTOWAY

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