是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP16,.25 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.92 |
模拟集成电路 - 其他类型: | PLL FREQUENCY SYNTHESIZER | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 9.9 mm |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.25 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.75 mm | 子类别: | PLL or Frequency Synthesis Circuits |
最大供电电流 (Isup): | 27 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 15.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 14.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 3.9 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SP5611SKGMPAD | MITEL |
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1·3GHz Bidirectional I2C Bus Controlled Synth |
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SP5612 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 49.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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SP5612E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 49.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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SP5613 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 175V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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SP5613E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 175V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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SP5615 | POWERSEM |
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高精度原边反馈开关电源芯片 |
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SP5616 | ETC |
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SP5616 是一颗高精度离线式开关电源电路,应用于低功耗 AC/DC 充电器与适配器。S |
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SP5618 | ETC |
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SP5618 是一颗高精度离线式开关电源电路,应用于低功耗 AC/DC 充电器与适配器。S |
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SP561K | CDE |
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Ceramic Capacitors |
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SP5623 | ETC |
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SP5623 是一颗电流模式PWM 控制芯片,内置功MOSFET。适用于5W以内的方案。采 |
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