是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 8 weeks | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 2 A |
集电极-发射极最大电压: | 35 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MBT35200MT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portabl | |
NSS35200MR6T1G | ONSEMI |
类似代替 |
35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SNSS40600CF8T1G | ONSEMI |
获取价格 |
双极晶体管,低饱和压,PNP,6.0 A,40 V | |
SNST3904DXV6T5G | ONSEMI |
获取价格 |
双 NPN 双极晶体管 | |
SNT Series | MERITEK |
获取价格 |
SNT Series | NTC Surface Mount | |
SNT-100-BK-G | SAMTEC |
获取价格 |
.100 [2.54] C.L. SHUNT ASSEMBLY | |
SNT-100-BK-G-H | TI |
获取价格 |
ADS1131REF and ADS1231REF | |
SNT-100-BK-G-H | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT | |
SNT-100-BK-H | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT | |
SNT-100-BK-H-H | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT | |
SNT-100-BK-T | TI |
获取价格 |
TLV320AIC3104EVM and TLV320AIC3104EVM-PDK | |
SNT-100-BL-G | SAMTEC |
获取价格 |
Interconnection Device, ROHS COMPLIANT |