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SN74S314N

更新时间: 2023-01-02 21:25:01
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德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
IC,SRAM,1KX1,TTL,DIP,16PIN,PLASTIC

SN74S314N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T16内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX1输出特性:OPEN-COLLECTOR
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.155 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

SN74S314N 数据手册

  

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