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Datasheet > 逻辑 > 触发器/锁存器> SN74AUP1G80DBVT
SN74AUP1G80DBVT PDF预览

SN74AUP1G80DBVT

更新时间： 2024-11-16 05:24:51
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德州仪器 - TI 触发器
页数 文件大小 规格书
14页 375K
描述
LOW-POWER SINGLE POSITIVE-EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP

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SN74AUP1G80DBVT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：LSSOP, TSOP5/6,.11,37针数：5
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.12
系列：AUP/ULP/VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e4长度：2.9 mm
负载电容（CL）：30 pF逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup：260000000 Hz最大I（ol）：0.004 A
湿度敏感等级：1位数：1
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：INVERTED
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：TSOP5/6,.11,37封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.2/3.3 V
最大电源电流（ICC）：0.0009 mAProp。Delay @ Nom-Sup：28.7 ns
传播延迟（tpd）：28.7 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.45 mm子类别：FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：1.2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.95 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发器类型：POSITIVE EDGE
宽度：1.6 mm最小 fmax：260 MHz

SN74AUP1G80DBVT 数据手册

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SN74AUP1G80  
LOW-POWER SINGLE POSITIVE-EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP  
www.ti.com  
SCES593B–JULY 2004–REVISED JULY 2005  
FEATURES  
•
•
•
Available in the Texas Instruments  
NanoStar™ and NanoFree™ Packages  
•
•
•
Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V  
Optimized for 3.3-V Operation  
Low Static-Power Consumption  
(ICC = 0.9 µA Max)  
3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode  
Signal Operation  
Low Dynamic-Power Consumption  
(Cpd = 4.3 pF Typ at 3.3 V)  
•
•
•
tpd = 4.3 ns Max at 3.3 V  
Suitable for Point-to-Point Applications  
•
•
Low Input Capacitance (Ci = 1.5 pF Typ)  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA  
Per JESD 78, Class II  
Low Noise – Overshoot and Undershoot  
<10% of VCC  
•
ESD Performance Tested Per JESD 22  
•
•
Ioff Supports Partial-Power-Down Mode  
Operation  
– 2000-V Human-Body Model  
(A114-B, Class II)  
Schmitt-Trigger Action Allows Slow Input  
Transition and Better Switching Noise  
Immunity at the Input  
– 200-V Machine Model (A115-A)  
– 1000-V Charged-Device Model (C101)  
•
ESD Protection Exceeds ±5000 V With  
Human-Body Model  
(Vhys = 250 mV Typ at 3.3 V)  
DBV PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DCK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
YEP OR YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
3
4
Q
GND  
CLK  
D
D
CLK  
GND  
V
CC  
1
2
3
5
1
2
3
5
D
CLK  
GND  
V
CC  
2
1
5
V
CC  
4
Q
4
Q
See mechanical drawings for dimensions.  
DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION  
The AUP family is TI's premier solution to the industry's low-power needs in battery-powered portable  
applications. This family ensures a very low static- and dynamic-power consumption across the entire VCC range  
of 0.8 V to 3.6 V, resulting in increased battery life (see Figure 1). This product also maintains excellent signal  
integrity (see Figure 2).  
Switching Characteristics  
Static-Power Consumption  
Dynamic-Power Consumption  
(pF)  
†
at 25 MHz  
(µA)  
3.5  
3
100%  
80%  
100%  
80%  
2.5  
2
Input  
Output  
60%  
40%  
60%  
40%  
3.3-V  
3.3-V  
†  
Logic  
1.5  
1
†
Logic  
0.5  
0
20%  
0%  
20%  
0%  
AUP  
AUP  
−0.5  
20  
Time − ns  
10  
15  
0
5
25  
35 40 45  
30  
†
Single, dual, and triple gates  
†
AUP1G08 data at C = 15 pF  
L
Figure 1. AUP – The Lowest-Power Family  
Figure 2. Excellent Signal Integrity  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NanoStar, NanoFree are trademarks of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright © 2004–2005, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
 
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SN74AUP1G80DBVT 替代型号

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