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Datasheet > 逻辑 > 触发器/锁存器> SN74AUP1G79DRYR
SN74AUP1G79DRYR PDF预览

SN74AUP1G79DRYR

更新时间： 2024-01-31 09:00:04
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 触发器
页数 文件大小 规格书
24页 985K
描述
LOW-POWER SINGLE POSITIVE-EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP

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SN74AUP1G79DRYR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SON
包装说明：VSON, SOLCC6,.04,20针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.56系列：AUP/ULP/V
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e4
长度：1.45 mm负载电容（CL）：30 pF
逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP最大频率@ Nom-Sup：220000000 Hz
最大I（ol）：0.004 A湿度敏感等级：1
位数：1功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSON
封装等效代码：SOLCC6,.04,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.2/3.3 V
最大电源电流（ICC）：0.0009 mAProp。Delay @ Nom-Sup：24 ns
传播延迟（tpd）：24 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.6 mm子类别：FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：1.2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发器类型：POSITIVE EDGE
宽度：1 mm最小 fmax：260 MHz
Base Number Matches：1

SN74AUP1G79DRYR 数据手册

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SN74AUP1G79  
www.ti.com  
SCES592G –JULY 2004–REVISED MAY 2010  
LOW-POWER SINGLE POSITIVE-EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP  
Check for Samples: SN74AUP1G79  
1
FEATURES  
•
•
•
•
•
•
•
Available in the Texas Instruments NanoStar™  
Package  
•
•
•
Wide Operating VCC Range of 0.8 V to 3.6 V  
Optimized for 3.3-V Operation  
Low Static-Power Consumption:  
ICC = 0.9 mA Max  
3.6-V I/O Tolerant to Support Mixed-Mode  
Signal Operation  
Low Dynamic-Power Consumption:  
Cpd = 3 pF Typ at 3.3 V  
•
•
•
tpd = 4 ns Max at 3.3 V  
Suitable for Point-to-Point Applications  
Low Input Capacitance:  
Ci = 1.5 pF Typ  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
Low Noise: Overshoot and Undershoot  
<10% of VCC  
•
ESD Performance Tested Per JESD 22  
–
2000-V Human-Body Model  
(A114-B, Class II)  
Ioff Supports Partial Power-Down-Mode  
Operation  
–
1000-V Charged-Device Model (C101)  
Input Hysteresis Allows Slow Input Transition  
and Better Switching Noise Immunity at the  
Input (Vhys = 250 mV Typ at 3.3 V)  
DBV PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DCK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DRL PACKAGE  
(TOP VIEW)  
1
2
3
5
D
CLK  
GND  
VCC  
D
CLK  
GND  
VCC  
1
2
3
5
1
2
3
5
D
CLK  
GND  
VCC  
4
Q
4
Q
4
Q
DRY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DSF PACKAGE  
(TOP VIEW)  
YFP PACKAGE  
(TOP VIEW)  
YZP PACKAGE  
(TOP VIEW)  
1
2
3
6
5
4
1
2
3
6
5
4
A2  
A2  
A1  
1
2
6
5
4
A1  
1
2
5
D
CLK  
VCC  
VCC  
N.C.  
Q
D
D
VCC  
N.C.  
Q
VCC  
Q
D
CLK B1  
B2  
C2  
CLK B1  
N.C.  
Q
CLK  
C1 3  
C1 3  
4
C2  
GND  
GND  
GND  
GND  
N.C. – No internal connection  
See mechanical drawings for dimensions.  
DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION  
The AUP family is TI's premier solution to the industry's low-power needs in battery-powered portable  
applications. This family ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire VCC range  
of 0.8 V to 3.6 V, resulting in an increased battery life. This product also maintains excellent signal integrity (see  
Figure 1 and Figure 2).  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright © 2004–2010, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
 
1234567...24

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与SN74AUP1G79DRYR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SN74AUP1G79DSFR TI

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