SN3B

更新时间： 2024-11-16 22:21:39

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EIC		整流二极管
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2页	42K
描述
SURFACE MOUNT RECTIFIERS

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SN3B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	最大输出电流：	3 A
最大重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

SN3B 数据手册

SURFACE MOUNT RECTIFIERS

SN3A - SN3M

SMC (DO-214AB)

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 3.0 Amperes

0.060(1.52)

0.030(0.76)

FEATURES :

0.008(0.203)

0.004(0.102)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

0.121(3.07)

0.012(0.305)

0.115(2.92)

0.006(0.152)

0.103(2.62)

0.079(2.00)

0.245(6.22)

0.220(5.59)

MECHANICAL DATA :

* Case : SMC Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Lead Formed for Surface Mount

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

Dimensions in inches and (millimeter)

* Weight : 0.26 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL SN3A SN3B SN3D SN3G SN3J SN3K SN3M UNITS

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

3.0

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current Ta = 75 °C

Peak Forward Surge Current

IFSM

200

8.3ms Single half sine wave Superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at IF = 3.0 Amps.

0.95

5.0

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance (Note1)

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Ta = 25 °C

°C

IR(H)

Ta = 100 °C

- 65 to + 150

TSTG

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V_DC

Page 1 of 2

Rev. 01 : Mar 23, 2002

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