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SMP30N10

更新时间： 2024-11-18 19:58:59

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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SMP30N10 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.65	雪崩能效等级（Eas）：	135 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SMP30N10 数据手册

SMP30N10

N-Channel Enhancement-Mode Transistor

Product Summary

V_(BR)DSS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

100

0.060

TO-220AB

DRAIN connected to TAB

G D S

N-Channel MOSFET

Top View

Absolute Maximum Ratings (T_C= 25_C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

100

"20

= 25_C

= 100_C

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Avalanche Current

120

Avalanche Energy

L = 0.3 mH

L = 0.1 mH

135

Repetitive Avalanche Energy

= 25_C

100

Power Dissipation

= 100_C

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

300

stg

Lead Temperature (¹/ ” from case for 10 sec.)

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Junction-to-Case

Case-to-Sink

1.25

thJC

thCS

1.0

Notes:

a. Duty cycle v1%

Siliconix

P-36853—Rev. C, 06-Jun-94

12 3 4

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