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SMLJ85A

更新时间: 2024-11-14 22:31:15
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT

SMLJ85A 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AB
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.22
Is Samacsys:N最大击穿电压:104 V
最小击穿电压:94.4 V击穿电压标称值:99.2 V
最大钳位电压:137 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ABJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.61 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:85 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SMLJ85A 数据手册

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