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SMLJ8.0C PDF预览

SMLJ8.0C

更新时间: 2024-11-15 20:37:27
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美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 138K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-2

SMLJ8.0C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-214AB包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.22最大击穿电压:10.9 V
最小击穿电压:8.89 V击穿电压标称值:9.9 V
最大钳位电压:15 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214ABJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.61 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:8 V最大反向电流:50 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:C BEND端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMLJ8.0C 数据手册

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