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SMLJ130A

更新时间: 2024-11-26 22:50:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT

SMLJ130A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AB
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.39
最大击穿电压:159 V最小击穿电压:144 V
击穿电压标称值:152 V最大钳位电压:209 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-214AB
JESD-30 代码:R-PDSO-C2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1.61 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:130 V
最大反向电流:5 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SMLJ130A 数据手册

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