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SMF51A

更新时间： 2024-02-03 22:17:56
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管IOT
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
SURFACE MOUNT ESD PROTECTION DIODES

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SMF51A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOD-123F, 2 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, PRSM-MIN
最大击穿电压：62.7 V最小击穿电压：56.7 V
击穿电压标称值：59.7 V最大钳位电压：82.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：200 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
最大重复峰值反向电压：51 V最大反向电流：5 µA
反向测试电压：51 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SMF51A 数据手册

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GALAXY ELECTRICAL  
1N6267- - -1N6303A  
BL  
BREAKDOWN VOLTAGE: 6.8 --- 200 V  
PEAK PULSE POWER: 1500 W  
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
FEATURES  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
DO-201AE  
Glass passivated junction  
1500W peak pulse power capability with a 10/1000μs  
waveform, repetition rate (duty cycle): 0.05%  
Excellent clamping capability  
Low incremental surge resistance  
Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts to  
V(BR) for uni-directional and 5.0ns for bi-directional types  
For devices with V(BR) 10V,ID are typically less than 1.0μA  
High temperature soldering guaranteed:265 / 10 seconds,  
0.375"(9.5mm) lead length, 51bs. (2.3kg) tension  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO-201AE, molded plastic  
Polarity: Color band denotes positive end  
( cathode ) except for bidirectional  
Weight: 0.032 ounces, 0.9 grams  
Mounting position: Any  
DEVICES FOR BIDIRECTIONAL APPLICATIONS  
For bi-directional use C or CA suffixfor types 1N6267 thru types 1N6303A (e.g. 1N6267, 1N6303A).  
Electrical characteristics apply in both directions.  
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
SYMBOL  
PPPM  
VALUE  
UNIT  
W
Peak pow er dissipation w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE1, FIG.1)  
Peak pulse current w ith a 10/1000μs w aveform (NOTE1)  
Minimum 1500  
SEE TABLE 1  
IPPM  
A
Steady state pow er dissipation at TL=75  
ffffflead lengths 0.375"(9.5mm) (NOTE2)  
PM(AV)  
IFSM  
6.5  
W
A
Peak forw ard surge current, 8.3ms single half  
ffffsine-w ave superimposed on rated load (JEDEC Method) (NOTE3)  
200.0  
Maximum instantaneous forw ard voltage at 100 A for unidirectional only (NOTE4)  
Typical thermal resistance junction-to-lead  
VF  
RθJL  
3.5/5.0  
20  
V
/W  
/W  
Typical thermal resistance junction-to-ambient  
RθJA  
75  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-50---+175  
NOTES: (1) Non-repetitive current pules, per Fig. 3 and derated above TA=25 per Fig. 2  
(2) Mounted on copper pad area of 1.6" x 1.6"(40 x40mm2) per Fig. 5  
www.galaxycn.com  
(3) Measured of 8.3ms single half sine-w ave or equare w ave, duty cycle=4 pulses per minute maximum  
(4) VF=3.5 Volt max. for devices of V(BR) 200V, and VF=5.0 Volt max. for devices of V(BR) >200V  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
Document Number 0285011  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMF51A/G1 VISHAY

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