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SMF26A

更新时间： 2024-02-21 07:27:55

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德欧泰克 - DIOTEC		IOT 二极管
页数	文件大小	规格书
3页	174K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 26V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SMF, 2 PIN

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SMF26A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
击穿电压标称值：	30.4 V	最大钳位电压：	42.1 V
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压：	26 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SMF26A 数据手册

SMF5.0 ... SMF220CA

P_PPM= 200 W

P_M(AV)= 0.5 W

T_jmax= 150°C

V_WM= 5.0 ... 220 V

V_BR= 6.8 ... 260 V

SMD Transient Voltage Suppressor Diodes

SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden

Version 2016-05-27

Typical Applications

Over-voltage protection

ESD protection

Typische Anwendungen

Schutz gegen Überspannung

ESD-Schutz

SOD-123FL (~ SMF)

Free-wheeling diodes

Commercial grade ¹)

Freilauf-Dioden

Standardausführung ¹)

0.6^±0.25

2.8^±0.2

Features

Besonderheiten

Uni- and Bidirectional versions

Peak pulse power of 200 W

(10/1000 µs waveform)

Very fast response time

Low profile package

Uni- und Bidirektionale Versionen

200 W Impuls-Verlustleistung

(10/1000 µs Strom-Impuls)

Sehr schnelle Ansprechzeit

Flache Bauform

3.7^±0.2

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals ¹)

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien ¹)

Type

Code

Mechanical Data ¹)

Mechanische Daten ¹)

Taped and reeled

3000 / 7“

0.02 g

Gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

Weight approx.

Gewicht ca.

Type Code = V_WM. Cathode mark

only at unidirectional types

Case material

UL 94V-0

260°C/10s

MSL = 1

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

Löt- und Einbaubedingungen

Type Code = V_WM. Kathoden-Markierung

nur bei unidirektionalen Typen

For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.

Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.

Maximum ratings ²)

Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)

Grenzwerte ²)

T_A= 25°C

T_A= 50°C

T_A= 25°C

P_PPM

P_M(AV)

I_FSM

200 W ³)

1000 W ³)

0.5 W ⁴)

20 A ⁵)

Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)

Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)

Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 8/20 µs)

Steady state power dissipation

Verlustleistung im Dauerbetrieb

Peak forward surge current, 60 Hz half sinewave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinushalbwelle)

Characteristics

Kennwerte

Max. instantaneous forward voltage

I_F= 20 A

V_F

< 3.5 V ⁵)

Augenblickswert der Durchlass-Spannung

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

Thermal resistance junction-ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung

R_thA

< 180 K/W ⁴)

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

T_j= 25°C unless otherwise specified – T_j= 25°C wenn nicht anders angegeben

Non-repetitive pulse see curve I_PP= f (t) / P_PP= f (t)

Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I_PP= f (t) / P_PP= f (t)

Mounted on P. C. board with 25 mm²copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 25 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden

http://www.diotec.com/

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