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SMF101B PDF预览

SMF101B

更新时间： 2024-02-07 14:30:53
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森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 339K
描述
1A patch fast recovery diode 50V SMB series

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SMF101B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.15 µs表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SMF101B 数据手册

 浏览型号SMF101B的Datasheet PDF文件第2页 
SMF101B- SMF107B  
SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 50 - 1000V  
CURRENT: 1.0 A  
Features  
!
Glass Passivated Die Construction  
!
!
!
!
!
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Forward Voltage Drop, High Efficiency  
Low Power Loss  
Fast Recovery Time  
Plastic Case Material has UL Flammability  
B
Classification Rating 94V-O  
SMB(DO-214AA)  
Dim  
A
Min  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Mechanical Data  
A
J
C
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
B
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
C
D
!
!
!
D
E
G
H
Weight: 0.093 grams (approx.)  
G
J
H
E
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
Symbol  
Characteristic  
SMF101B SMF102B SMF103B SMF104B SMF105B SMF106B SMF107B Unit  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
420  
600  
V
V
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TA=65 C (NOTE 1)  
1000  
100  
I(AV)  
1.0  
A
Peak forward surge current  
IFSM  
30.0  
1.3  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
A
rated load (JEDEC Method)  
TL=25 C  
VF  
IR  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
5.0  
100.0  
µ
A
TA=100 C  
trr  
ns  
Maximum reverse recovery time (NOTE 2)  
500  
250  
150  
Typical junction capacitance (NOTE 3)  
Typical thermal resistance (NOTE 4)  
CJ  
15  
pF  
K/W  
180  
RθJA  
Operating junction and storage temperature range  
TJ,TSTG  
-50 to +150  
C
Note:  
1.Averaged over any 20ms period.  
2.Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
3.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
4.Thermal resistance junction to ambient, 6.0 mm2 coppeer pads to each terminal.  
1 of 2  
www.sunmate.tw  
12

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