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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高工作温度： | 180 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 子类别： | Other Transistors |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMF-06020 | SAMSUNG |
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Power Optimized GaAs FET |
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| SMF06110-100 | SAMSUNG |
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Transistor |
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| SMF06140-200 | SAMSUNG |
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Transistor |
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| SMF06300 | SAMSUNG |
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Transistor |
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| SMF090610R10LZF | SUPERWORLD |
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Length (mm): 9.30 | Width (mm): 6.10 | Height (mm) 10.20 | SPQ (reel) : 500 Dual winding i |
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| SMF090610R12LZF | SUPERWORLD |
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Length (mm): 9.30 | Width (mm): 6.10 | Height (mm) 10.20 | SPQ (reel) : 500 Dual winding i |
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| SMF090610R15LZF | SUPERWORLD |
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Length (mm): 9.30 | Width (mm): 6.10 | Height (mm) 10.20 | SPQ (reel) : 500 Dual winding i |
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| SMF090610R18LZF | SUPERWORLD |
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Length (mm): 9.30 | Width (mm): 6.10 | Height (mm) 10.20 | SPQ (reel) : 500 Dual winding i |
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| SMF090610R22LZF | SUPERWORLD |
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Length (mm): 9.30 | Width (mm): 6.10 | Height (mm) 10.20 | SPQ (reel) : 500 Dual winding i |
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| SMF10 | HY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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