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SMCJ40

更新时间： 2024-01-24 18:14:36

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鲁光 - LGE		局域网光电二极管
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SMCJ40 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AB
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	54.3 V
最小击穿电压：	44.4 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SMCJ40 数据手册

SMCJ Series

Transient Voltage Suppressors

Working Voltage: 5.0 to 440 V

Peak Pulse Power: 1500 W

SMC/ DO-214AB

Features

Glass passivated chip

1500 W peak pulse power capability with a

10/1000 ȝs waveform, repetitive rate (duty

cycle):0.01 %

Low leakage

Uni and Bidirectional unit

Excellent clamping capability

Very fast response time

RoHS compliant

Mechanical Data

Case: Molded plastic

Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

Lead: Solderable per MIL-STD-750, method

2026

Polarity: Color band denotes cathode end

except Bipolar

Mounting position: Any

Maximum Ratings(T_A=25ɗ unless otherwise noted)

Value

1500

UNIT

Parameter

Symbol

Peak power dissipation with a 10/1000ȝs waveform⁽¹⁾

P_PP

Peak pulse current wih a 10/1000ȝs waveform⁽¹⁾

Power dissipation on infinite heatsink at T_L= 75 °C

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-

I_PP

P_D

See Next Table

6.5

I_FSM

200

wave unidirectional only⁽²⁾

Maximum instantaneous forward voltage at 100 A for

unidirectional only⁽³⁾

V_F

3.5/5.0

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

–55 to +150

°C

Note:

(1)Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above T_A= 25 °C per Fig.1

(2)Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

(3)V_F<3.5V for devices of V_BR<200V and V_F<5.0V for devices of V_BR>201V

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170301-P1

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