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SMCG12

更新时间: 2024-11-15 22:43:03
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 148K
描述
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL SURFACE MOUNT

SMCG12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-215AB
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.55
Is Samacsys:N最大击穿电压:16.3 V
最小击穿电压:13.3 V击穿电压标称值:14.8 V
最大钳位电压:22 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-215ABJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.56 W最大重复峰值反向电压:12 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMCG12 数据手册

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DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB, PLASTIC, SMCG, 2 PIN, Transien
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