SMBJ18CATR

更新时间： 2024-11-25 13:13:39

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	143K
描述
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMBJ18CATR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.1	最大击穿电压：	22.1 V
最小击穿电压：	20 V	击穿电压标称值：	21.05 V
最大钳位电压：	29.2 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.38 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	18 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin/Lead (Sn90Pb10)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

12 3

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMBJ18CA-TR	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSILTM
SMBJ18CATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional,
SMBJ18CD-M3/I	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 18V 28.8V DO214AA
SMBJ18C-E3/52	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 18V 32.2V DO214AA
SMBJ18C-E3/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional,
SMBJ18CE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ18CE3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ18C-GT3	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21
SMBJ18CHE3/52	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 18V 32.2V DO214AA
SMBJ18CHE3/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Bidirectional,