是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.29 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN |
最大击穿电压: | 23.1 V | 最小击穿电压: | 18.9 V |
击穿电压标称值: | 21.4 V | 最大钳位电压: | 30.5 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | DO-214AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大重复峰值反向电压: | 17 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ17C.TB | SEMTECH |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA | |
SMBJ17C/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ17C/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ17C/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ17C-5B-E3 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ17CA | WILLAS |
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600W SURFACE MOUNT GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
SMBJ17CA | SUNMATE |
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600W 贴片TVS瞬态抑制二极管 SMB 5V~440V 全系列 | |
SMBJ17CA | dowosemi |
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瞬态电压抑制器 Transient Voltage Suppressors | |
SMBJ17CA | DIODES |
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600W SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR | |
SMBJ17CA | MCC |
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Transient Voltage Suppressor 5.0 to 170 Volts 600 Watt |