5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-214AC |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | MOS COMPATIBLE |
| 最小击穿电压： | 111 V | 最大钳位电压： | 212 V |
| 配置： | SINGLE | 最小二极管电容： | 85 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AC | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 400 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向电流： | 1 µA |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | C BEND | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMAJ100CATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Bidirectional, |
|
| SMAJ100CE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ100CE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ100C-GT3 | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ100CHE3/61 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ100C-M3/5A | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC, |
|
| SMAJ100C-T | MCC |
获取价格 |
Transient Suppressor, |
|
| SMAJ100CTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2 |
|
| SMAJ100D / CD | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
|
| SMAJ100E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
