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SM4005Q

更新时间: 2024-11-30 22:43:07
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 整流二极管IOT
页数 文件大小 规格书
2页 134K
描述
Surface Mount Si-Rectifiers

SM4005Q 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-213AB包装说明:O-PELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.47外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-213AB
JESD-30 代码:O-PELF-R2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:YES
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SM4005Q 数据手册

 浏览型号SM4005Q的Datasheet PDF文件第2页 
SM 4001 Q … SM 4007 Q  
Surface Mount Si-Rectifiers  
Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage  
Nominal current – Nennstrom  
1 A  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
50…1000 V  
Plastic case QuadroMELF  
~ DO-213AB  
0.12 g  
Kunststoffgehäuse QuadroMELF  
Weight approx. – Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped and reeled  
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle  
see page 18  
siehe Seite 18  
Dimensions / Maße in mm  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
SM 4001 Q  
SM 4002 Q  
SM 4003 Q  
SM 4004 Q  
SM 4005 Q  
SM 4006 Q  
SM 4007 Q  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TT = 75C  
IFAV  
IFAV  
1 A  
TT = 100C  
0.8 A  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
f > 15 Hz  
TA = 25C  
TA = 25C  
IFRM  
IFSM  
i2t  
10 A 1)  
40 A  
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing, t < 10 ms  
Grenzlastintegral, t < 10 ms  
8 A2s  
1
)
Max. temperature of the terminals TT = 75C / 100C – Max. Temperatur der Kontaktflächen TT = 75C / 100C  
1
06.11.2002  

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