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SM36T1G

更新时间： 2024-05-23 22:21:24
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW 脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 311K
描述
反向截止电压（Vrwm）:36V;极性/通道数（Channel）:2-Line，Unidirectional;击穿电压（VBR):40V;峰值脉冲电流(Ipp):1A;最大钳位电压(Vc):60V;电容（Cj）:45pF

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SM36T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50Factory Lead Time：7 weeks
风险等级：1.18最大击穿电压：46.95 V
最小击穿电压：40 V击穿电压标称值：43.5 V
最大钳位电压：60 V配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：300 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.225 W参考标准：IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压：36 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SM36T1G 数据手册

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R
UMW  
SMxxT1G  
These dual monolithic silicon surge protection diodes are designed  
for applications requiring transient overvoltage protection capability.  
They are intended for use in voltage and ESD sensitive equipment such  
as computers, printers, business machines, communication systems,  
medical equipment and other applications. Their dual junction common  
anode design protects two separate lines using only one package. These  
devices are ideal for situations where board space is at a premium.  
1
2
3
PIN 1. CATHODE  
2. CATHODE  
3. ANODE  
Specification Features:  
• SOT−23 Package Allows Either Two Separate Unidirectional  
Configurations or a Single Bidirectional Configuration  
• Working Peak Reverse Voltage Range − 5.0 V to 36 V  
• Peak Power − 300 Watt (8/20 ms)  
• Low Leakage − 1.0mA  
• Flammability Rating UL 94 V−0  
• These are Pb−Free Devices  
Mechanical Characteristics:  
CASE: Void-Free, Transfer-Molded, Thermosetting Plastic Case  
FINISH: Corrosion Resistant Finish, Easily Solderable  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
Package Designed for Optimal Automated Board Assembly  
Small Package Size for High Density Applications  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
W
Peak Power Dissipation @ 20 ms (Note 1) @ T ≤ 25°C  
P
pk  
300  
L
IEC 61000−4−2 (ESD)  
Air  
Contact  
kV  
15  
26  
IEC 61000−4−4 (EFT)  
40  
12  
A
A
IEC 61000−4−5 (Lightning)  
Total Power Dissipation on FR−5 Board (Note 2) @ T = 25°C  
°P °  
225  
1.8  
556  
°mW°  
mW/°C  
°C/W  
A
D
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Total Power Dissipation on Alumina Substrate (Note 3) @ T = 25°C  
°P  
300  
2.4  
417  
°mW  
mW/°C  
°C/W  
A
D
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
− 55 to +150  
260  
°C  
°C  
J
stg  
Lead Solder Temperature − Maximum (10 Second Duration)  
T
L
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Non−repetitive current pulse per Figure 3  
2. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.  
3. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in., 99.5% alumina  
NOTE: Other voltages may be available upon request  
www.umw-ic.com  
1
UTD Semiconductor Co.,Limited  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM36TC SEMTECH

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 		TVS Diode Array
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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, PLAS
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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
SM36-TR MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 36V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, PLAS
SM37L1B3E@32.768KHZ MMD

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom
SM37L1B5A@32.768KHZ MMD

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