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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 3.25 V | JESD-30 代码： | O-MEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 10600 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大输出电流： | 1010 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 3200 V | 最大反向恢复时间： | 3 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SM32CXC614 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1160A, 3200V V(RRM), Silicon, |
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| SM32CXC964 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2700A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SM32DM355GCEM216EP | TI |
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Digital Media System-on-Chip(DMSoC) |
|
| SM32HXC084 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 220A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SM32HXC103 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 252A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SM32HXC164 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 364A, 3200V V(RRM), Silicon, |
|
| SM32VC5510AGGWA2EP | TI |
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SM320VC5510A-EP Fixed-Point Digital Signal Processor |
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| SM33 | KEMET |
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Aluminum Electrolytic Capacitors |
|
| SM33 | MIC |
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SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SM330 | DCCOM |
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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
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