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SM2M64SDT-6

更新时间： 2024-02-12 22:10:07
品牌 Logo 应用领域
铁电 - RAMTRON 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
Cache DRAM Module, 2MX8, CMOS, SODIMM-144

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SM2M64SDT-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：DIMM,针数：144
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.84
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-XDMA-N144内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：CACHE DRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：144字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
组织：2MX8封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：DIMM封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态：Not Qualified
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

SM2M64SDT-6 数据手册

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16MB ESDRAM SO-DIMM  
2Mx64  
Preliminary  
Features  
·
·
·
·
JEDEC standard 144-pin SO-DIMM  
Single 3.3V ± 0.3V Power Supply  
Fully Synchronous Operation  
PIN ASSIGNMENT  
Vss  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
Vdd 11  
DQ4 13  
DQ5 15  
DQ6 17  
DQ7 19  
Vss 21  
1
3
5
7
9
2
4
6
8
Vss  
DQ32  
DQ32  
DQ34  
Sustained Random Burst Reads (Same Bank)  
·
·
1-1-1-1 at 75MHz (CL=1)  
2-1-1-1 at 150MHz (CL=2)  
10 DQ35  
12 Vdd  
14 DQ36  
16 DQ37  
18 DQ38  
20 DQ39  
22 Vss  
24 DQMB4  
26 DQMB5  
28 Vdd  
30 A3  
32 A4  
34 A5  
36 Vss  
·
·
·
·
·
·
Programmable Burst Length (1, 2, 4, 8, Full Page)  
Programmable CAS Latency (1, 2, 3)  
Early Auto-Precharge While Reading from Cache  
Hidden Auto-Refresh without closing Read Pages  
64ms, 2048-Cycle Refresh  
DQMB0 23  
DQMB1 25  
Vdd 27  
A0 29  
A1 31  
A2 33  
Vss 35  
LVTTL Compatible Inputs and I/Os  
DQ8 37  
DQ9 39  
DQ10 41  
DQ11 43  
Vdd 45  
DQ12 47  
DQ13 49  
DQ14 51  
DQ15 53  
Vss 55  
38 DQ40  
40 DQ41  
42 DQ42  
44 DQ43  
46 Vdd  
48 DQ44  
50 DQ45  
52 DQ46  
54 DQ47  
56 Vss  
Speed Grade  
Speed  
Grade  
Clock Frequency  
Access Time  
CL=1  
CL=2  
CL=3  
CL=1  
CL=2  
4.3ns  
4.5ns  
5.0ns  
CL=3  
4.3ns  
4.5ns  
5.0ns  
-6  
-7.5  
-10  
75MHz  
66MHz  
50MHz  
150MHz  
133MHz  
100MHz  
150MHz  
133MHz  
100MHz  
10.5ns  
12ns  
15ns  
NC 57  
NC 59  
58 RSVD  
60 RSVD  
Description  
CK0 61  
Vdd 63  
62 CKE0  
64 Vdd  
/RAS 65  
/WE 67  
/S0 69  
NC (/S1) 71  
RSVD 73  
Vss 75  
RSVD 77  
RSVD 79  
Vdd 81  
DQ16 83  
DQ17 85  
DQ18 87  
DQ19 89  
Vss 91  
DQ20 93  
DQ21 95  
DQ22 97  
DQ23 99  
Vdd 101  
66 /CAS  
68 NC (CKE1)  
70 NC  
72 NC  
74 CK1  
76 Vss  
78 RSVD  
80 RSVD  
82 Vdd  
84 DQ48  
86 DQ49  
88 DQ50  
90 DQ51  
92 Vss  
94 DQ52  
96 DQ53  
98 DQ54  
100 DQ55  
102 Vdd  
The Enhanced Memory Systems 16MB enhanced SDRAM  
(ESDRAM) SO-DIMM is a high performance, low latency  
memory module organized as 2Mx64. The ESDRAM devices  
on-board combine raw speed with innovative architecture to  
optimize system price-performance in high performance  
computer and embedded control systems.  
This SO-DIMM is 100% pin, function,and timing  
compatible with the JEDEC standard 144-pin SDRAM SO-  
DIMMs. Each ESDRAM device has two logical banks of  
memory which are accessed through the use of BA0 (pin  
106). All control, address, and data input signals are  
registered into each of the Enhanced SDRAM components  
with the use of an external clock, CK0 (pin 61) and CK1 (pin  
74). The rising edge of the clocks is used as the timing  
reference for all inputs and outputs.  
A6 103  
A8 105  
Vss 107  
A9 109  
A10/AP 111  
Vdd 113  
104 A7  
106 BA0  
108 Vss  
110 NC (BA1)  
112 NC  
114 Vdd  
The ESDRAM SO-DIMM provides pipelined burst SRAM  
performance up to 66MHz and nearly the same at bus speeds  
up to 150MHz. The -10ns DIMMs are specified to operate at  
100MHz in CL=2 mode. The -6ns DIMMs will operate at  
150MHz in CL=2 mode and 66MHz in CL=1 mode.  
DQMB2 115  
DQMB3 117  
Vss 119  
116 DQMB6  
118 DQMB7  
120 Vss  
DQ24 121  
122 DQ56  
DQ25 123  
DQ26 125  
DQ27 127  
Vdd 129  
124 DQ57  
126 DQ58  
128 DQ59  
130 Vdd  
All standard SDRAM functionality and commands are  
supported with a few enhancements available to boost  
memory system performance. The advanced features include  
1) the ability to quickly close a read page by performing a  
Read/AP and 2) the ability to have four open pages through  
the use of the No Write Transfer mode.  
DQ28 131  
DQ29 133  
DQ30 135  
DQ31 137  
Vss 139  
132 DQ60  
134 DQ61  
136 DQ62  
138 DQ63  
140 Vss  
SDA 141  
Vdd 143  
142 SCL  
144 Vdd  
The information contained herein is subject to change without notice.  
Enhanced reserves the right to change or discontinue this product  
without notice.  
Ó 1999 Enhanced Memory Systems Inc. 1850 Ramtron Drive, Colorado Springs, CO 80921  
Telephone (800) 545-DRAM, Fax (719) 488-9095, Web http://www.edram.com Rev. 1.1  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SM2M64SDT-7.5 RAMTRON

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 		Cache DRAM Module, 2MX8, CMOS, SODIMM-144
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