型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SM26B104K501BM | KEMET |
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CAP,CERAMIC,100NF,500VDC,10% -TOL,10% +TOL,X7R TC CODE,-15,15% TC,6560 CASE |
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SM26B-GHDS-A-GAN-TF | JST |
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为满足平板电视、影音设备等PC板高密度封装的要求,该连接器设计成1.25mm间距的双排式。 |
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SM26B-GHDS-A-TF | JST |
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为了符合多种设备的高密度电路板的设计,GHD连接器设计成1.25mm间距,双排型的连接器。 |
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SM26B-SHLS-TF | JST |
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*低背型设计正向型封装高度仅1.8mm,错排型封装高度仅1.4mm。*低插入力端子结构独特 |
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SM26B-ZPDSS-TF | JST |
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为了与高密度印刷电路板设计相适应,该ZPD连接器设计为1.5mm间距双列式连接器,并带有安 |
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SM26CXC103 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 310A, 2600V V(RRM), Silicon, |
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SM26CXC115 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 233A, 2600V V(RRM), Silicon, |
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SM26CXC144 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 370A, 2600V V(RRM), Silicon, |
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SM26CXC166 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 2600V V(RRM), Silicon, |
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SM26CXC474 | IXYS |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 864A, 2600V V(RRM), Silicon, |
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