5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW CAPACITANCE | 最小击穿电压： | 4 V |
| 最大钳位电压： | 5.9 V | 配置： | SINGLE |
| 最小二极管电容： | 100 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 300 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性： | BIDIRECTIONAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大反向电流： | 1 µA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SLVG2.8 | SEMTECH |
获取价格 |
EPD TVS⑩ Diodes For ESD and Latch-Up Protecti |
|
| SLVG2.8.TC | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 2.8V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO- |
|
| SLVG2.8.TCT | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-253AA, LEAD F |
|
| SLVG2.8K | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 2.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| SLVG2.8KE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 2.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| SLVG2.8TC | SEMTECH |
获取价格 |
EPD TVS⑩ Diodes For ESD and Latch-Up Protecti |
|
| SLVG3.3 | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 3.3V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| SLVG3.3.TC | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| SLVG3.3.TG | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, Unidirectional, 1 Element, Silicon |
|
| SLVS141A | TI |
获取价格 |
FIXED NEGATIVE 5-V 200-mA INVERTING DC/DC CONVERTER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
