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SLD10-018-B

更新时间： 2024-09-21 06:11:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
Transient Voltage Suppression Diodes

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SLD10-018-B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.4其他特性：UL RECOGNIZED
最大击穿电压：13 V最小击穿电压：11.8 V
击穿电压标称值：12.4 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：19 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2最大非重复峰值反向功率耗散：50000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：10 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SLD10-018-B 数据手册

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TransientVoltage Suppression Diodes  
Axial Leaded – 2200W > SLD series  
RoHS  
SLD Series  
Description  
The SLD Series is packaged in a highly reliable industry  
standard P600 axial leaded package and is designed to  
provide percision overvoltage protection for sensitive  
electronics.  
Features  
tꢀ)BMPHFOꢁ'SFF  
tꢀ &YDFMMFOUꢀDMBNQJOHꢀ  
capability  
tꢀ 3P)4ꢀDPNQMJBOU  
tꢀ -PXꢀJODSFNFOUBMꢀTVSHFꢀ  
resistance  
tꢀ 5ZQJDBMꢀNBYJNVNꢀ  
temperature coefficient  
ΔVBR = 0.1% x VBR@25°C x ΔT tꢀ )JHIꢀUFNQFSBUVSFꢀ  
Agency Approvals  
soldering guaranteed:  
260°C/40 seconds /  
0.375”,(9.5mm) lead  
length, 5 lbs., (2.3kg)  
tension  
tꢀ 1MBTUJDꢀQBDLBHFꢀIBTꢀ  
Underwriters Laboratory  
Flammability classification  
94V-O  
tꢀ (MBTTꢀQBTTJWBUFEꢀDIJQꢀ  
junction in P600 package  
AGENCY  
AGENCY FILE NUMBER  
E230531  
tꢀ *40ꢀꢂꢃꢄꢂꢁꢅꢀ-FWFMꢀꢆꢀ  
Impulse 5a; 2200W peak  
pulse capability at 100μs  
× 150ms waveform,  
repetition rate  
Maximum Ratings andThermal Characteristics  
(TA=25OC unless otherwise noted)  
(duty cycles): 0.01%  
tꢀ 'BTUꢀSFTQPOTFꢀUJNFꢇꢀ  
typically less than 1.0ps  
from 0 Volts to BV min  
tꢀ .BUUFꢀ5JOꢀ-FBEoGSFFꢀQMBUFE  
Parameter  
Symbol  
PPPM  
Value  
2200  
Unit  
W
Peak Pulse Power Dissipation  
1. 100ꢀs x 150ms test waveform  
2. 8 x 20ꢀs test waveform  
50000  
W
Applications  
Steady State Power Dissipation on  
inifinite heat sink atTL=75ºC (Fig. 5)  
PM(AV)  
8.0  
3.5  
W
V
Designed to protect sensitive electronics from:  
Maximum Instantaneous Forward  
Voltage at 100A for Unidirectional  
only  
- Inductive Load Switching  
- Alternator Load Dump  
VF  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T , TSTG -65 to 175  
°C  
J
TypicalThermal Resistance Junction  
to Lead  
RuJL  
RuJA  
8.0  
40  
°C/W  
°C/W  
TypicalThermal Resistance Junction  
to Ambient  
Electrical Characteristics (TA=25°C unless otherwise noted)  
Breakdown  
Test  
Current  
IT  
Reverse  
Maximum  
Reverse  
Maximum  
Peak Pulse  
Current  
Maximum  
Agency  
Part  
Number  
(Uni)  
Part  
Number  
(Bi)  
Voltage VBR @ IT  
Stand off  
Clamping Approval  
Voltage @ IPP  
VC (V)  
(V)  
Voltage Leakage @ VR  
VR (Volts)  
IR (μA)  
Ipp (A)  
(mA)  
MIN  
11.8  
MAX  
13  
SLD10U-017  
SLD16U-017  
SLD24U-017  
SLD10-018  
SLD16-018  
SLD24-018  
5.0  
1.0  
1.0  
10  
16  
24  
10  
10  
10  
115  
76  
61  
19.0  
28.6  
36.0  
x
x
x
18.0  
25.0  
22.0  
30.0  
Notes:  
1. VBR measured after IT applied for 300ꢀs, IT= square wave pulse or equivalent.  
2. Surge current waveform per 100μS x 150mS exponential wave and derated per Fig. 3.  
3. All terms and symbols are consistent with ANSI/IEEE C62.35.  
©2009 Littelfuse, Inc.  
137  
Revision: January 09, 2009  
SLD Series  
Specifications are subject to change without notice.  
Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/SLD.html for current information.  
1234

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SLD10-018-B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SLD10-018T LITTELFUSE

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 Trans Voltage Suppressor Diode, 50000W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT,
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 		4 Watt Discrete LDMOS FET in Ceramic Package
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 		Tape&Reel : 500Pcs/Reel; Bulk: 200Pcs/Box; Ammo Packing: 450Pcs/AmmoBox;

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