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SKR10

更新时间： 2024-02-11 18:58:28

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	186K
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DIODE

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SKR10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
后壳类型：	SOLID	主体/外壳类型：	RECEPTACLE
连接器类型：	CIRCULAR CONNECTOR	联系完成配合：	NOT SPECIFIED
触点性别：	FEMALE	触点材料：	NOT SPECIFIED
耦合类型：	SNAP	DIN 符合性：	NO
空壳：	NO	滤波功能：	NO
IEC 符合性：	NO	MIL 符合性：	NO
混合触点：	NO	安装类型：	CABLE
选件：	GENERAL PURPOSE	外壳材料：	STEEL
触点总数：	9	Base Number Matches：	1

SKR10 数据手册

SKR 10,3 Qu bond

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.1 mA

T_s= 80 °C, T_j= 150 °C

T_j= 150 °C, 10 ms, sin 180°

V_RRM

I_F(AV)

I²t

1600

135

A²s

13613

2000

1650

150

T_j= 25 °C

10 ms

I_FSM

sin 180°

T_j= 150 °C

T_jmax

°C

DIODE

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

I_F(DC)= 170 A

T_j= 25 °C, V_RRM

T_j= 145 °C, V_RRM

I_R

0.1

1.1

V_RRM= 1600 V

Size: 10,3 mm x 10,3 mm

T_j= 25 °C, I_F= 106 A

T_j= 125 °C, I_F= 106 A

T_j= 125 °C

V_F

1.21

1.1

0.9

V_(TO)

r_T

0.83

1.6

T_j= 125 °C

mΩ

µs

SKR 10,3 Qu bond

Features

• high current density due to mesa

technology

T_j= 25 °C, ± 1 A

t_rr

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

min.

typ.

max.

Unit

T_j

-40

150

250

320

°C

• high surge current

• compatible to thick wire bonding

• compatible to all standard solder

processes

T_stg

T_solder

10 min.

5 min.

Typical Applications

• uncontrolled rectifier bridges

soldered on 0,38 mm DCB, reference

point on copper heatsink close to the

chip

R_th(j-s)

0.38

K/W

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

10,3 x 10,3

Area total

Anode

106,09

mm²

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, diameter ≤ 500 µm

wafer frame

Chips /

Package

128

pcs

SKR

Rev. 0 – 22.09.2009

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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