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SKMT250/12E

更新时间: 2024-11-21 15:51:23
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 405K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 250000mA I(T), 1200V V(RRM), 2 Element,

SKMT250/12E 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.75
Is Samacsys:N配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
快速连接描述:2G-2GR螺丝端子的描述:2A-CK
最大维持电流:500 mA最大漏电流:50 mA
通态非重复峰值电流:9000 A元件数量:2
最大通态电压:1.4 V最大通态电流:250000 A
最高工作温度:130 °C最低工作温度:-40 °C
重复峰值反向电压:1200 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SKMT250/12E 数据手册

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