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SKKH41/18E

更新时间： 2024-01-24 09:50:24
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 可控硅二极管
页数 文件大小 规格书
5页 294K
描述
Thyristor / Diode Modules

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SKKH41/18E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-240
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：G螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：250 mAJESD-30 代码：R-XUFM-X4
JESD-609代码：e2最大漏电流：15 mA
通态非重复峰值电流：1000 A元件数量：1
端子数量：4最大通态电流：40000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：75 A
断态重复峰值电压：1800 V重复峰值反向电压：1800 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKKH41/18E 数据手册

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SEMIPACK® 1  
Thyristor / Diode Modules  
VRSM VRRM (dv/  
VDRM dt)cr  
ITRMS (maximum value for continuous operation)  
75 A  
ITAV (sin. 180; Tcase = 68 °C)  
48 A  
V
V
V/µs  
500 400 500  
700 600 500 SKKT 41/06 D SKKT 42/06 D  
SKKT 41  
SKKT 42  
SKKT 42B  
SKKH 41  
SKKH 42  
SKKL 42 2)  
–
–
SKKH 41/04 D  
–
SKKH 41/06 D SKKH 42/06 D  
900 800 500 SKKT 41/08 D SKKT 42/08 D1) SKKH 41/08 D SKKH 42/08 D  
1300 1200 1000 SKKT 41/12 E SKKT 42/12 E1) SKKH 41/12 E SKKH 42/12 E  
1500 1400 1000 SKKT 41/14 E SKKT 42/14 E1) SKKH 41/14 E SKKH 42/14 E  
1700 1600 1000 SKKT 41/16 E SKKT 42/16 E1) SKKH 41/16 E SKKH 42/16 E  
1900 1800 1000 SKKT 41/18 E SKKT 42/18 E1) SKKH 41/18 E SKKH 42/18 E  
2100 2000 1000 SKKT 41/20 E SKKT 42/20 E1)  
2300 2200 1000 SKKT 41/22 E SKKT 42/22 E1)  
–
–
–
–
SKKT 41 SKKT 42  
SKKH 41 SKKT 42B Units  
Symbol Conditions  
SKKH 42  
ITAV  
ID  
sin. 180; Tcase = 74 °C  
48  
40  
A
A
A
A
A
T
T
T
T
case = 85 °C  
B2/B6  
amb = 45 °C; P 3/180  
amb = 35 °C; P 3/180 F  
amb = 35 °C; P 3/180 F  
50 / 60  
85 / 110  
110 / 3 x 85  
IRMS  
ITSM  
W1/W3  
1 000  
850  
5 000  
3 600  
A
A
A2s  
A2s  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = 125 °C; 10 ms  
Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj = 125 °C; 8,3 ... 10 ms  
i2t  
SKKT 41  
SKKH 41  
SKKH 42  
SKKL 42  
tgd  
tgr  
Tvj = 25 °C; IG = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
VD = 0,67 . VDRM  
1
2
µs  
µs  
SKKT 42  
SKKT 42B  
(di/dt)cr  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 25 °C; typ./max.  
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ω; typ./max.  
150  
typ. 80  
150 / 250  
300 / 600  
A/µs  
µs  
mA  
mA  
tq  
IH  
IL  
VT  
VT(TO)  
rT  
Tvj = 25 °C; IT = 200 A  
Tvj = 125 °C  
Tvj = 125 °C  
max. 1,95  
V
V
mΩ  
1
4,5  
Features  
• Heat transfer through aluminium  
oxide ceramic isolated metal  
baseplate  
• Hard soldered joints for high  
reliability  
IDD; IRD  
Tvj = 125 °C; VRD = VRRM  
VDD = VDRM  
max. 15 3)  
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 125 °C; d.c.  
Tvj = 125 °C; d.c.  
3
150  
0,25  
6
V
mA  
V
• UL recognized, file no. E 63 532  
mA  
Rthjc  
cont.  
sin. 180  
rec. 120  
0,65 / 0,33  
0,69 / 0,35  
0,73 / 0,37  
0,2 / 0,1  
– 40 ... + 125  
– 40 ... + 125  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
Typical Applications  
per thyristor /  
per module  
• DC motor control (e.g. for  
machine tools)  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
• AC motor soft starters  
• Temperature control (e.g. for  
ovens, chemical processes)  
• Professional light dimming  
(studios, theaters)  
°C  
Visol  
M1  
M2  
a
a. c. 50 Hz; r.m.s; 1 s/1 min  
to heatsink  
SI (US) units  
to terminals  
3600 / 3000  
5 (44 lb. in.) + 15 %4)  
3 (26 lb. in.) + 15 %  
5 . 9,81  
V~  
Nm  
Nm  
m/s2  
g
1) Also available in SKKT 42 B  
configuration (case A 48)  
w
approx.  
95  
Case  
→ page B 1 – 95  
SKKT 41: A 5  
SKKH 41: A 6  
SKKH 42: A 47  
SKKL 42: A 59  
SKKT 42: A 46  
SKKT 42B: A 48  
2) SKKL 42 available on request  
3) /20 E, /22 E max. 30 mA  
4) See the assembly instructions  
© by SEMIKRON  
0898  
B 1 – 39  
12345

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