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SKD28/18

更新时间： 2024-11-15 21:06:27

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	33K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 28A, 1800V V(RRM), Silicon

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SKD28/18 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	最大非重复峰值正向电流：	250 A
元件数量：	6	相数：	3
端子数量：	7	最高工作温度：	140 °C
最大输出电流：	28 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

SKD28/18 数据手册

Power Bridge Rectifiers

V_RSM

V_RRM

I_D(T_case= 90 °C)

28 A

SKD 28

400 V

800 V

SKD 28/04

SKD 28/08

SKD 28/12

SKD 28/14

SKD 28/16

SKD 28/18

Preliminary Data

1200 V

1400 V

1600 V

1800 V

Symbol Conditions

SKD 28

Units

I_D

T_case= 90 °C

T_h= 90 °C

I_FSM

i²t

T_vj

_vj= 140 °C, 10 ms

T_vj25 °C, 8,3...10 ms

T_vj= 140 °C, 8,3...10 ms

T_vj25 °C; I_F= 30 A

25 °C, 10 ms

300

250

450

310

A²s

V_F

1,25

0,8

V_(TO)

r_T

T_vj= 140 °C

mΩ

I_RD

T_vj

25 °C; V_RD= V_RRM

0,2

1,5

T_vj= 140 °C; V_RD= V_RRM

R_thjc

per diode

total

4,5

0,75

°C/W

°C

Features

•

Glass passivated silicon chips

Blocking voltage up to 1800 V

Isolated metal baseplate

Fast-on terminals with solder

tips

R_thch

T_vj

total

0,2

– 40...+ 140

– 40...+ 125

T_stg

°C

V_isol

a.c. 50...60 Hz; r.m.s.; 1 s

3000

2500

•

Suitable for PCB mounting and

wave soldering

UL recognition applied for

1 min

M₁

case to heatsink (M5); SI units

US units

2 ± 15 %

18 ± 15 %

lb. in.

Typical Applications

•

DC power supply, e. g. for

transistorized AC motor

controllers

Case

G 52

•

Input rectifiers for variable

frequency drives

•

Battery charger rectifiers

Non-controlled DC motor field

supply

0896

B 11 – 25

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