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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SKD146/12-L100
SKD146/12-L100 PDF预览

SKD146/12-L100

更新时间： 2024-11-15 03:00:55
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管斩波器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 706K
描述
3-Phase Bridge Rectifier + IGBT braking chopper

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SKD146/12-L100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X16
针数：16Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：125 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, THREE PHASE DIODE BRIDGE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：R-XUFM-X16JESD-609代码：e3/e4
元件数量：1端子数量：16
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：939.8 ns标称接通时间 (ton)：208.2 ns
Base Number Matches：1

SKD146/12-L100 数据手册

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Symbol Conditions  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
Diode - Rectifier  
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typ.  
max. Units  
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IGBT - Chopper  
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1
05-09-2007 DIL  
© by SEMIKRON  
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