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Datasheet > 二极管 > 桥式整流二极管> SKD100/12
SKD100/12 PDF预览

SKD100/12

更新时间： 2024-01-14 12:54:22
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 530K
描述
Power Bridge Rectifiers

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SKD100/12 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PUFM-X5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：2.29
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.35 VJESD-30 代码：R-PUFM-X5
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：1000 A
元件数量：6相数：3
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：100 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1200 V
最大反向电流：0.0005 µA子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKD100/12 数据手册

 浏览型号SKD100/12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKD100/12的Datasheet PDF文件第3页 
SKD 100  
 
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SKD  
1
06-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  
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