是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | CASE T 12, SEMITOP 3, 11 PIN |
针数: | 11 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 33 A |
集电极-发射极最大电压: | 1200 V | 配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-P11 |
JESD-609代码: | e2 | 元件数量: | 6 |
端子数量: | 11 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 465 ns | 标称接通时间 (ton): | 165 ns |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SK30GD123_06 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GD128 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GD128_06 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GD128_10 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GH067 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GH067_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GH123 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30GH123_06 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK30H1000UH | VISHAY |
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General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 1000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, DIP-4 | |
SK30H100MB25 | VISHAY |
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General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 7 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |