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SK30MLI066P

更新时间： 2024-09-29 21:22:03
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅
页数 文件大小 规格书
5页 262K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

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SK30MLI066P 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.66
Base Number Matches：1

SK30MLI066P 数据手册

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SK 30 MLI 066p  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Unit  
IGBT - Inverter  
VCES  
IC  
600  
37  
30  
30  
60  
V
A
A
A
A
V
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
Tj = 175 °C  
ICnom  
ICRM  
VGES  
ICRM = 2 x ICnom  
VCC = 360 V  
-20 ... 20  
SEMITOP® 3 Press-Fit  
V
V
GE ≤ 15 V  
CES ≤ 600 V  
Tj = 150 °C  
tpsc  
6
µs  
°C  
Tj  
-40 ... 175  
3-Level NPC Inverter  
Inverse diode  
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
IF  
34  
27  
A
A
Tj = 175 °C  
SK 30 MLI 066p  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
30  
60  
185  
-40 ... 175  
A
A
A
°C  
Target Data  
IFRM = 2 x IFnom  
tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
Features  
• Compact design  
• One screw mounting module  
• Solder free mounting with Press-Fit  
terminals  
Clamping diode  
IF  
Ts = 25 °C  
Ts = 70 °C  
34  
27  
30  
60  
185  
A
A
A
A
A
Tj = 175 °C  
• Fully compatible with SEMITOP®  
Press-Fit types  
IFnom  
IFRM  
IFSM  
Tj  
• Heat transfer and isolation through  
direct copper bonded aluminium oxide  
ceramic (DCB)  
IFRM = 2xIFnom  
10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C  
• 600V Trench IGBT technology  
• 600V CAL technology FWD  
• UL recognized, file no. E 63 532  
-40 ... 175  
°C  
Module  
It(RMS)  
Tstg  
Tterminal = 100°C, TS = 60°C  
AC, sinusoidal, t = 1 min  
40  
-40 ... 125  
2500  
A
°C  
V
Typical Applications*  
• 3 Level Inverter  
• UPS  
Visol  
Remarks  
Characteristics  
Dynamic measure: DUT=IGBT (gate  
pin1) and Neutral Clamp Diode (cathode  
pin16) as free-wheeling diode  
Symbol Conditions  
IGBT  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
IC = 30 A  
Tj = 25 °C  
VCE(sat)  
1.45  
1.65  
1.90  
2.10  
V
V
V
GE = 15 V  
Tj = 150 °C  
chiplevel  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
Tj = 25 °C  
Tj = 150 °C  
VCE0  
rCE  
0.9  
0.85  
18.3  
26.7  
5.8  
1
0.9  
30  
40  
6.5  
0.05  
V
V
mΩ  
mΩ  
V
mA  
mA  
nF  
nF  
nF  
nC  
Ω
chiplevel  
VGE = 15 V  
VGE = VCE, IC = 0.43 mA  
Tj = 25 °C  
VGE(th)  
ICES  
5
VGE = 0 V  
CE = 600 V  
V
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
f = 1 MHz  
Cies  
Coes  
Cres  
QG  
1.63  
0.108  
0.05  
275  
VCE = 25 V  
GE = 0 V  
V
VGE = -7V...+15V  
Tj = 25 °C  
RGint  
MLI  
© by SEMIKRON  
Rev. 1 – 16.04.2014  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK30N1000UH VISHAY

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SK30N100MB25 VISHAY

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