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SK30GD128

更新时间： 2024-01-16 12:25:25
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 775K
描述
IGBT Module

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SK30GD128 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11
针数：11Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：35 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X11元件数量：6
端子数量：11封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：324 ns
标称接通时间 (ton)：81 nsBase Number Matches：1

SK30GD128 数据手册

 浏览型号SK30GD128的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK30GD128的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SK30GD128的Datasheet PDF文件第4页 
SK 30 GD 128  
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04-07-2006 DIL  
© by SEMIKRON  
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