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SK30GH067

更新时间： 2024-01-26 21:37:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 255K
描述
IGBT Module

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SK30GH067 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P12
针数：12Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：45 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-P12
元件数量：4端子数量：12
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SK30GH067 数据手册

 浏览型号SK30GH067的Datasheet PDF文件第2页 
SK 30 GH 067  
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1
16-06-2006 DIL  
© by SEMIKRON  
12

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