深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
N-沟道超级结功率 MOS 管
N-CHANNEL SUPER JUNCTION POWER MOSFET
SIF70R750
●特点:新高压器件技术 低导通电阻和低传导损耗 封装小 超低栅极电荷导致较低的驱动要求
100%雪崩测试 符合RoHS规范
●FEATURES:■NEW TECHNOLOGY FOR HIGH VOLTAGE DEVICE ■LOW ON-RESISTANCE AND LOW
CONDUCTION LOSSES ■SMALL PACKAGE ■ULTRA LOW GATE CHARGE CAUSE LOWER DRIVING
REQUIREMENTS ■100% AVALANCHE TESTED■ROHS COMPLIANT
●应用:功率因数校正(PFC) 开关电源(SMPS) UPS 电源
●APPLICATION: ■POWER FACTOR CORRECTION (PFC) ■SWITCHED MODE POWER SUPLIES(SMPS) ■
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY(UPS)
●最大额定值(TC=25C)
●Absolute Maximum Ratings(Tc=25C) TO-220/220FP/262/263
单位
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
额定值
VALUE
UNIT
VDS=700V
漏-源电压
Drain-source Voltage
VDS
700
V
RDS(ON)=0.65Ω
栅-源电压
gate-source Voltage
VGS
ID
±30
7
V
A
A
A
漏极电流
Continuous Drain Current TC=25℃
漏极电流
ID
4.4
21
Continuous Drain Current TC=100℃
最大脉冲电流
Drain Current -Pulsed
IDM
①
Others:63
220FP:28
耗散功率
Power Dissipation
PD
Tj
W
C
最高结温
Junction Temperature
150
-55-150
50
存储温度
Storage Temperature
TSTG
dV/dt
EAS
C
漏源电压斜率
Drain Source voltage slope
V/ns
mJ
单脉冲雪崩能量
Single Pulse Avalanche Energy ②
190
●热特性
●Thermal Characteristic
最大值
MAX
参数
PARAMETER
符号
SYMBOL
单位
UNIT
TO-220/TO-262/263
TO-220FP
热阻结-壳
Thermal Resistance Junction-case
RthJC
RthJA
1.98
4.46
62.5
℃/W
℃/W
热阻结-环境
Thermal Resistance Junction-ambient
62
●订单信息/ORDERING INFORMATION:
订货编码/ORDERING CODE
包装形式/PACKING
普通塑封料/ Normal Package Material
无卤塑封料/Halogen Free
TO-220 条管装/TUBE PACKING
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING
SIF70R750 TO-220-TU
SIF70R750 TO-220-TU-HF
SIF70R750 TO-220FP-TU
SIF70R750 TO-220FP-TU-HF
SIF70R750 TO-262-TU 或
SIF70R750 TO-263-TU
SIF70R750 TO-262-TU-HF 或
SIF70R750 TO-263-TU-HF
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING
TO-263 编带装/TAPE & REEL PACKING
SIF70R750 TO-263-TR
SIF70R750 TO-263-TR-HF
Si semiconductors 2017.03
1