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SI6968BEDQ

更新时间： 2024-02-16 04:40:35

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威世 - VISHAY		/
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5页	47K
描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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SI6968BEDQ 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.3
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.2 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI6968BEDQ 数据手册

Si6968BEDQ

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Common Drain, ESD Protection

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D ESD Protected: 3000 V

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.022 @ V = 4.5 V

6.5

5.5

0.030 @ V = 2.5 V

TSSOP-8

*300 W

Top View

Ordering Information:

Si6968BEDQ-T1 (with Tape and Reel)

N-Channel

*Typical value by design

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

6.5

5.5

5.2

3.5

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.5

1.0

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

0.96

0.64

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typ

Max

Unit

t v 10 sec

Steady-State

100

120

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Document Number: 72274

S-31362—Rev. A, 30-Jun-03

www.vishay.com

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