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SI4688DY-T1-GE3

更新时间： 2025-07-23 19:55:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	243K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4688DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8.9 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4688DY-T1-GE3 数据手册

Package Information

Vishay Siliconix

SOIC (NARROW): 8-LEAD

JEDEC Part Number: MS-012

h x 45

0.25 mm (Gage Plane)

All Leads

0.101 mm

0.004"

MILLIMETERS

Max

INCHES

DIM

Min

Max

1.35

0.10

0.35

0.19

4.80

3.80

1.75

0.20

0.51

0.25

5.00

4.00

0.053

0.004

0.014

0.0075

0.189

0.150

0.069

0.008

0.020

0.010

0.196

0.157

A₁

1.27 BSC

0.050 BSC

5.80

0.25

0.50

0°

6.20

0.50

0.93

8°

0.228

0.010

0.020

0°

0.244

0.020

0.037

8°

0.44

0.64

0.018

0.026

ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06

DWG: 5498

Document Number: 71192

11-Sep-06

www.vishay.com

1...3 4 567 8 9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4689	SILICON	获取价格	EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE
Si4689	SKYWORKS	获取价格	Digital Radio Receivers
SI468X	SILICON	获取价格	EVALUATION BOARD TEST PROCEDURE
Si46921	SKYWORKS	获取价格	Si469xx/xxC Automotive Digital Radio Coprocessors
Si46921C	SKYWORKS	获取价格	Si469xx/xxC Automotive Digital Radio Coprocessors
Si46922	SKYWORKS	获取价格	Si469xx/xxC Automotive Digital Radio Coprocessors
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