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SI4688DY-T1-GE3

更新时间： 2025-07-23 19:55:27

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	243K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4688DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8.9 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4688DY-T1-GE3 数据手册

New Product

Si4688DY

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted

Duty Cycle = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

Single Pulse

0.01

-4

-3

-2

-1

Square Wave Pulse Duration (s)

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon

Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and

reliability data, see www.vishay.com/ppg?69996.

Document Number: 69996

S09-0394-Rev. B, 09-Mar-09

www.vishay.com

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