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SI3442DV-T3

更新时间： 2024-01-09 02:47:59

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威世 - VISHAY		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	85K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SI3442DV-T3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI3442DV-T3 数据手册

Si3442DV

Vishay Siliconix

SPECIFICATIONS (T = _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Static

Gate Threshold Voltage

Gate-Body Leakage

= V , I = 250 mA

0.6

GS(th)

= 0 V, V = "8 V

"100

GSS

= 20 V, V = 0 V

Zero Gate Voltage Drain Current

DSS

= 20 V, V = 0 V, T = 70_C

= 5 V, V = 4.5 V

On-State Drain Current

D(on)

On-State Drain Current

= 5 V, V = 2.5 V

= 4.5 V, I = 4.0 A

0.058

0.072

0.07

Drain-Source On-State Resistance

DS(on)

0.095

= 2.5 V, I = 3.4 A

Forward Transconductance

11.3

0.75

= 10 V, I = 4.0 A

Diode Forward Voltage

= 1.6 A, V = 0 V

1.2

Dynamic^b

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

7.0

1.1

2.0

= 10 V, V = 4.5 V, I = 4.0 A

d(on)

= 10 V, R = 10 W

= 4.5 V, R = 6 W

GEN G

^ 1 A, V

Turn-Off Delay Time

Fall Time

d(off)

Source-Drain Reverse Recovery Time

I = 1.6 A, di/dt = 100 A/ms

Notes

a. Pulse test; pulse width v 300 ms, duty cycle v 2%.

b. Guaranteed by design, not subject to production testing.

Document Number: 70192

S-49525—Rev. C, 06-Oct-97

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-2

123 4 5

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